总投资240亿美元 国家存储器基地项目武汉开工

　　国家存储器基地项目12月30日在武汉正式动工建设。这是中国集成电路行业单体投资最大的项目，总投资240亿美元。图为湖北省副省长许克振宣布国家存储器基地项目正式开工。　王诗垠　摄

　　中新网北京12月30日电 (王诗垠)中国集成电路行业单体投资最大的项目——总投资240亿美元的国家存储器基地项目，12月30日在武汉东湖高新区正式动工建设。

　　来自紫光集团的消息，该项目由国家集成电路产业基金、清华控股成员企业紫光集团、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设，主要生产存储器芯片，总占地面积1968亩。湖北省副省长许克振今天宣布国家存储器基地项目正式开工。

　　集成电路是信息技术产业的核心，是支撑社会经济发展和保障国家信息安全、产业安全的战略性、基础性和先导性产业。据预测，存储芯片目前在整个芯片市场占比超过25%，未来将达到45%左右。

　　国家存储器基地项目12月30日在武汉正式动工建设。这是中国集成电路行业单体投资最大的项目，总投资240亿美元。图为国家工信部副部长刘利华在开工仪式上发表讲话。　王诗垠 摄

　　紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国在现场介绍项目情况时强调，国家存储器基地正式动工建设，具有特殊意义：

　　一是存储器基地项目是中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破，相当于中国科技领域的航空母舰出海试航；

　　二是存储器基地项目的运作，是一种新模式的成功探索，这种新模式就是“国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作”的三合一；

　　三是存储器基地项目投资强度大，是中国集成电路行业单体投资最大的项目，也是湖北省最大的投资项目，也是中国最大的单体投资项目。

　　工业和信息化部、国家发改委相关领导表示，国家存储器基地项目的实施，必将进一步带动湖北省、武汉市集成电路产业发展，推动中部地区崛起和经济专型升级，促进我国集成电路产业向更高水平发展。中央部委将会同有关部门和地方，加强规划引导，大力推动、重点支持国家存储器基地项目建设，着力促进产业集聚和产业链协同。

　　此次正式开工建设的国家存储器基地项目。位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

　　国家存储器基地项目12月30日在武汉正式动工建设。该项目由国家集成电路产业基金、紫光集团、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。图为项目投资方代表在现场调研。　王诗垠 摄

　　据悉，位于武汉的国家存储器基地项目将以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体。项目建成后，以此为龙头将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，将为中国打破主流存储器领域空白，实现产业和经济跨越发展提供重要支撑。

　　目前，湖北省和武汉市正在举全省、全市之力，聚全球资源，将这一项目打造成湖北省调结构、实现转型跨越发展的千亿高科技产业项目。此前，湖北省已拥有芯片设计、制造、封装材料等相关企业60多家，武汉则是国家重点支持的集成电路四大产业聚区之一。

　　作为项目承载地的武汉东湖高新区，正在加快引进芯片设计、封装测试等环节的重点企业，积极打造集成电路产业生态体系，并正在组建武汉国际微电子学院、集成电路工业研究院、国家IP交易中心，努力打造世界级的集成电路产业创新中心。(完)